Реферат стабилитроны и стабисторы

Поэтому в выпрямителях стабилитроны обеспечивают дополнительное сглаживание пульсаций. В этом случае при изменении тока, протекающего через стабилитрон, от I СТ. Значение Е ср определяется по максимальному и минимальному напряжению источника как. Knox Semiconductor. Поэтому у стабилитронов катод с большой площадью поверхности. Стабилитроны изготавливают из кремния, обеспечивающего получение необходимой ВАХ. МАКС — максимально допустимый ток через стабилитрон.

В стабилитронах используется участок обратной ветви вольт-амперной характеристики в области электрического пробоя рис. В этом случае при изменении тока, протекающего через стабилитрон, от I СТ. МАКС напряжение на стабилитроне почти не изменяется. Этот эффект и используется для стабилизации напряжения.

  • Ртутно-цинковый элемент.
  • Во всех случаях выводы дополнительно облуживаются после корпусирования [30].
  • Дифференциальное , или динамическое сопротивление стабилитрона равно отношению приращения напряжения стабилизации к приращению тока стабилизации в точке с заданным обычно номинальным током стабилизации [56].
  • К тому же миллиамперметр для измерения тока тлеющего разряда не покажет ничтожно малого тока темного разряда.
  • Расчёт параметрического стабилизатора на полупроводниковых стабилитронах аналогичен расчёту стабилизатора на газонаполненных приборах, с одним существенным отличием: газонаполненным стабилитронам свойственен гистерезис порогового напряжения.

Если нагрузка R H подключена параллельно стабилитрону рис. Зависимость барьерной емкости от постоянного напряжения.

[TRANSLIT]

Электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами. Выпрямительные диоды. Полупроводниковый стабилитрон. Туннельные и обращенные диоды. Расчет электрических цепей с полупроводниковыми диодами.

5948691

Технология изготовления полупроводниковых диодов, структура, основные элементы и принцип действия. Процесс образования p-n перехода, его односторонняя реферат стабилитроны и стабисторы. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Контактная разность потенциалов. Полупроводниковые приборы. Выпрямительные свойства диодов.

Напряжение источника Е должно быть выше напряжения стабилизации U ст и достаточным для возникновения разряда в стабилитроне. Чем выше напряжение Етем выше должно быть сопротивление R огри тогда стабилизация сохраняется при изменении напряжения Е в более широких пределах. Но при большем ограничительном сопротивлении КПД схемы снижается, так как потери мощности в стабилитроне и резисторе R огр могут оказаться выше полезной мощности потребителя. Поэтому стабилитроны применяют только для установок реферат стабилитроны и стабисторы мощности, в которых снижение КПД не так важно, как в мощных установках.

Магистерская работа перевод на английскийДоклад работа школы в области технического моделирования
Актуальные темы диссертаций по строительствуПредмет трудовое право реферат
Реферат меню предприятий общественного питанияНалоговое право контрольные работы
Дипломная работа основная частьСтандартизация сертификация и метрология рефераты

В этом случае происходит следующее. Когда напряжение источника повышается, то увеличивается ток стабилитрона и почти все изменение напряжения приходится на долю резистора R огр. Напряжение на стабилитроне и на нагрузке почти постоянно лишь незначительно возрастаетесли изменение тока стабилитрона не выходит за пределы режима нормального катодного падения.

Расчет сопротивления R огр делают по закону Ома. Если напряжение Е изменяется в обе реферат стабилитроны и стабисторы от среднего значения Е ср. Значение Е ср определяется по максимальному и минимальному напряжению источника. После расчета R огр следует проверить, сохранится ли стабилизация при изменении напряжения от E min до E max. Это делается следующим образом. Но значение R огр тем больше, чем больше разница между Е и U ст и чем меньше I н.

У них дополнительно нормируется временная и температурная нестабильность напряжения стабилизации. Обращённые диоды в различных источниках определяются и как подкласс стабилитронов [16] , и как подкласс туннельных диодов [17]. Теоретически, дифференциальное сопротивление стабилитрона уменьшается с ростом тока стабилизации. Следовательно, и падение напряжения на ограничительном резисторе R огр изменяется незначительно.

реферат стабилитроны и стабисторы Таким образом, стабилизация в более высоком напряжении источника и более низком токе нагрузки. Однако при этом снижается КПД.

Если реферат стабилитроны и стабисторы нагрузки большой, то сопротивление R огр мало и стабилизация происходит в очень узких пределах изменения напряжения Ечто невыгодно. Поэтому имеет смысл применять стабилитроны при токах I нне превышающих значительно ток I max. Для стабилизации более высоких напряжений стабилитроны соединяют последовательно, обычно не более двух — трех. Данные стабилитроны получили название прецизионных и выпускаются промышленностью в виде законченных компонентов, например 2С или КС У них дополнительно нормируется временная и температурная нестабильность напряжения стабилизации.

Для стабилизации низких напряжений разработаны и широко применяются специальные полупроводниковые диоды — стабисторы. Отличие их от стабилитронов в том, что они работают на прямой ветви ВАХ, то есть при включении в прямом проводящем направлении. В качестве примера приведем параметры стабистора КСА:. Файловый архив студентов. Логин: Пароль: Забыли пароль? Email: Логин: Пароль: Принимаю пользовательское соглашение. Полупроводниковые стабилитроны вошли в промышленную практику во второй половине х годов.

В прошлом в номенклатуре стабилитронов выделялись функциональные группы [4]впоследствии потерявшие своё значение, а современные полупроводниковые стабилитроны классифицируются по функциональному назначению на:.

Ограничительные диоды рассчитаны не на непрерывное пропускание относительно малых токов, а на краткосрочное пропускание импульсов тока силой реферат стабилитроны и стабисторы десятки и сотни А.

СТАБИЛИТРОН - Принцип работы, маркировка, схемы включения

Внутренними источниками опорного напряжения таких микросхем могут служить и стабилитроны, и бандгапы. Не являются стабилитронами лавинно-пролётные диодытуннельные диоды и стабисторы. Обращённые диоды в различных источниках определяются и как подкласс стабилитронов [16]и как подкласс туннельных диодов [17]. Концентрация легирующих примесей в этих диодах настолько велика, что туннельный пробой возникает при нулевом обратном напряжении.

Из-за особых физических свойств и узкой области применения они обычно рассматриваются отдельно от стабилитронов и обозначаются на схемах особым, отличным от стабилитронов, символом [16] [18]. Тепловой пробой наблюдается в выпрямительных диодахособенно реферат стабилитроны и стабисторыа для кремниевых стабилитронов он не критичен.

Стабилитроны проектируются и изготавливаются таким образом, что либо туннельный, либо лавинный пробой, либо оба эти явления вместе возникают задолго до того, как реферат стабилитроны и стабисторы кристалле диода возникнут предпосылки к тепловому пробою [20].

Серийные стабилитроны изготавливаются из кремнияизвестны также перспективные разработки стабилитронов из карбида кремния и арсенида галлия [21].

Первую модель электрического пробоя предложил в году Кларенс Зенер, в то время работавший в Бристольском университете [22]. Напряжение пробоя стабилитрона определяется концентрациями акцепторов и доноров и профилем легирования области p-n-перехода. Чем выше концентрации примесей и чем больше их градиент в переходе, тем больше напряжённость электрического поля в области пространственного заряда при равном обратном напряжении, и тем меньше обратное напряжение, при котором возникает пробой:.

Если напряжение Е изменяется в обе стороны от среднего значения Е ср , то. При малом сопротивлении R огр может даже произойти скачок тока в область аномального катодного падения и стабилизации вообще не получится. Как следствие, при включении питания возрастает тепловая нагрузка на последовательное сопротивление R1 []. Уровень шума конкретного стабилитрона мало предсказуем и может быть определён только опытным путём []. Паспортный разброс напряжения стабилизации U ст.

Источники расходятся в точных оценках ширины этой зоны: С. Дело не столько в том, что благодаря взаимной компенсации ТКН туннельного и лавинного механизмов эти стабилитроны относительно термостабильны, а в том, что они имеют наименьший технологический разброс напряжения стабилизации и наименьшее, при прочих равных условиях, дифференциальное сопротивление [28]. В планарном диодном процессе используется две или три фотолитографии.

Первая фотолитография вскрывает на поверхности защитного оксида широкие окна, в реферат стабилитроны и стабисторы затем вводится легирующая примесь. В зависимости от требуемого профиля легирования могут применяться процессы ионной имплантациихимическое парофазное осаждение и диффузия из газовой среды или из поверхностной плёнки. Вторая фотолитография вскрывает окна для нанесения первого, тонкого слоя анодной металлизации.

Реферат стабилитроны и стабисторы 7777

После неё, при необходимости, проводится электронно-лучевое осаждение основного слоя анодной металлизации, третья фотолитография и электронно-лучевое осаждение металла со стороны катода [31]. Пластины перевозят на сборочное производство и там режут на отдельные кристаллы. Массовая сборка диодов, в том числе стабилитронов, в двухвыводных корпусах с гибкими выводами может выполняться двумя способами [30] :. Во всех случаях выводы дополнительно облуживаются после корпусирования [30].

Реферат стабилитроны и стабисторы 1075

Медные выводы предпочтительнее, так как отводят тепло лучше, чем биметаллические [33]. В простейшей схеме линейного параметрического стабилизатора стабилитрон выступает одновременно и источником опорного напряженияи силовым регулирующим элементом.

Характеристика полупроводникового стабилитрона

В более сложных схемах стабилитрону отводится только функция источника опорного напряжения, а регулирующим элементом служит внешний силовой транзистор. Прецизионные термокомпенсированные стабилитроны и стабилитроны со скрытой структурой широко применяются в качестве дискретных и интегральных источников опорного напряжения ИОНв том числе в наиболее требовательных к стабильности напряжения схемах измерительных аналого-цифровых преобразователей.

C середины х годов и по сей день год стабилитроны со скрытой структурой являются наиболее точными и стабильными твердотельными ИОН [37]. Точностные показатели лабораторных эталонов напряжения на специально реферат стабилитроны и стабисторы интегральных стабилитронах приближаются к показателям нормального элемента Вестона [38].

Для защиты входов электроизмерительных приборов и затворов полевых транзисторов используются обычные маломощные стабилитроны. В прошлом стабилитроны выполняли и иные задачи, которые впоследствии потеряли прежнее значение:. Помимо основных параметров существует еще ряд параметров, описывающих отклонения напряжения стабилизации реального прибора под реферат стабилитроны и стабисторы различных факторов.

Например, дифференциальное сопротивление, температурный коэффициент напряжения стабилизации, долговременный дрейф и шум напряжения стабилизации. Эти параметры необходимо учитывать при построении схем с повышенными требованиями к точности.

DEFAULT3 comments